真空漲落提供了一種重要的、非侵入性的控制材料性質的新方法。在此，我們提出實驗證據，表明真空漲落可以增強超導性。二硒化鈮（NbSe2）是一種層狀過渡金屬二硫化物，具有良好的超導行為，為揭示此效應提供了一個清晰的平台。我們觀察到，當 NbSe2 嵌入分環腔諧振器時，其超導臨界溫度有所增加。在接近臨界溫度時，臨界電流和臨界磁場顯著增加。我們的觀察結果與理論計算一致，該計算表明電子自由度與漲落腔體模式的雜化降低了超導態的能量。透過提供超導性透過真空漲落增強的原理驗證示範，我們的工作建立了一種控制量子技術基石的非侵入性技術。