二維半導體有望加速高性能電子產品的發展

半導體中的電流是由帶負電的電子或稱為電洞的帶正電載子移動所產生。對原子級薄半導體的研究已產出能夠有效傳輸電子的卓越二維材料。然而，尋找能夠有效傳輸電洞的對應材料一直以來都更具挑戰性。此類材料的匱乏已成為實現互補式二維電子學的一大阻礙——在此架構中，使用傳輸電子的（n型）二維半導體元件與使用傳輸電洞的（p型）二維半導體元件配對，以提升整體性能和功耗效率。Tseng 等人發表於 Nature 的研究報告了一種名為氮化硼碳（BCN）的半導體，該材料有望填補這一缺口。